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尔必达25纳米DRAM试产成功

放大字体  缩小字体 发布日期:2022-08-26 18:26:12 来源: 作者:用户63219    浏览次数:0    
摘要

    日本存储器大厂尔必达(Elpida)公布,已于2011年7月试产25纳米(nm)的2GBDDR3SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE」样品。该公司为全球首家推出25纳米DRAM的企业,芯片面积也是世界最小。  尔必达表示,25纳米制程技术早于5月研发完成,本次是公布产品顺利生产。25纳米DRAM传送资料的速率将比30纳米更快,1针脚即有1,866Mb/秒以上,且待机耗...

    日本存储器大厂尔必达(Elpida)公布,已于2011年7月试产25纳米(nm)的2GBDDR3SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE」样品。该公司为全球首家推出25纳米DRAM的企业,芯片面积也是世界最小。

  尔必达表示,25纳米制程技术早于5月研发完成,本次是公布产品顺利生产。25纳米DRAM传送资料的速率将比30纳米更快,1针脚即有1,866Mb/秒以上,且待机耗电量减少20%。

  尔必达计划于2011年底推出同等技术规格的4GBDDR3SDRAM,同时供智能型手机(Smartphone)和平板计算机(TabletPC)等行动装置使用的MobileRAM也有望陆续上市。
 
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