商来宝
  • 供应
  • 求购
  • 企业
  • 展会
  • 资讯

微信公众号

商来宝微信公众号
当前位置: 首页 » 行业资讯 » 综合资讯 »Power Integrations推出Qspeed硅二极管 适用于高开关速度设计

Power Integrations推出Qspeed硅二极管 适用于高开关速度设计

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-06-07 16:53:47 来源: 作者:用户61059    浏览次数:1    
摘要

盖世汽车讯 据外媒报道,美国电源集成公司(Power Integrations)宣布,推出600V 12A Qspeed二极管,提供业界最低的硅二极管反向恢复电荷(Qrr)性能。在25°C时,Qrr仅为14nC,提高了车载充电器功率因数校正(PFC)阶段的效率,并显著改善PFC MOSFET的热性能。该QH12TZ600Q符合AEC-Q101标准,可提供与碳化硅(SIC)器件相同的低开关损耗性能,...

盖世汽车讯 据外媒报道,美国电源集成公司(Power Integrations)宣布,推出600V 12A Qspeed二极管,提供业界最低的硅二极管反向恢复电荷(Qrr)性能。在25°C时,Qrr仅为14nC,提高了车载充电器功率因数校正(PFC)阶段的效率,并显著改善PFC MOSFET的热性能。该QH12TZ600Q符合AEC-Q101标准,可提供与碳化硅(SIC)器件相同的低开关损耗性能,并具有成本效益。

(图片来源:Power Integrations)

该公司高级产品营销经理Edward Ong表示:“新型Qspeed二极管的Qrr性能,是仅次于最优的超高速硅二极管的一半,可以有效提升系统效率。车载充电器应用需要具有更高的开关频率,以减小体积和重量,因此这一性能尤为重要,使QSpeed二极管能够取代SIC器件。”

QH12TZ600Q通过混合PiN/Schottky二极管技术,来实现高性能。其平滑的反向恢复电流转换特性,不仅可以提高效率,还能降低电磁干扰(EMI)和峰值反向电压应力,在车载充电器中用作输出整流器时,不必再使用缓冲电路(snubber)。该器件采用紧凑的2.5kV隔离式TO-220封装,可直接安装到金属散热元件(metal heat sinking)上,从而实现卓越的热性能。

Power Integrations, Inc.是高压电源转换领域半导体技术的领先创新者。该公司的产品是清洁能源生态系统的重要组成部分,有助于产生可再生能源,以及在毫瓦级至兆瓦级应用中有效传输和消耗电能。该公司授权的全球分销商包括Digikey、Farnell、Mouser和RS Components。

 
举报 收藏 0
免责声明
• 
转载请注明原文出处:https://www.51slb.com/news/c6739ac400.html 。本文仅代表作者个人观点,与商来宝平台无关,请读者仅做参考,如文中涉及有违公德、触犯法律的内容,请向我们举报,作者需自行承担相应责任。涉及到版权或其他问题,请及时联系我们处理。
 

(c)2022-2032 www.51slb.com 商来宝 All Rights Reserved 成都蓝兴网络科技有限公司

蜀ICP备2021023313号